Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio.
Resumen
El trabajo refleja procedimientos asociados al diseño, modelación computacional y construcción de etapas de potencia en banda L empleando transistores de nitrito de Galio (HEMT GaN). En la ponencia se exponen, además, aspectos relacionados con simulación de procesos estáticos y dinámicos, acoplamientos de impedancias y polarización secuencial para los amplificadores de potencia basados en transistores de GaN dado al gran empleo que tiene en la actualidad para el desarrollo de las industrias como la automovilística y la aeronáutica, debido a las posibilidades y facilidades que brindan. Se incluyen resultados prácticos de construcción de una etapa de potencia de 5W con transistor de GaN.Descargas
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Publicado
2019-01-25
Cómo citar
Hernández Portilla, P. L., & Romero Mustelier, E. (2019). Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio. Telemática, 17(3), 1–10. Recuperado a partir de https://revistatelematica.cujae.edu.cu/index.php/tele/article/view/309
Número
Sección
Artículos de investigación científica y tecnológica
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