Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio.

Authors

  • Pedro Luis Hernández Portilla CIDP “Grito de Baire”.
  • Enrique Romero Mustelier CIDP “Grito de Baire”

Abstract

El trabajo refleja procedimientos asociados al diseño, modelación computacional y construcción de etapas de potencia en banda L empleando transistores de nitrito de Galio (HEMT GaN). En la ponencia se exponen, además, aspectos relacionados con simulación de procesos estáticos y dinámicos, acoplamientos de impedancias y polarización secuencial para los amplificadores de potencia basados en transistores de GaN dado al gran empleo que tiene en la actualidad para el desarrollo de las industrias como la automovilística y la aeronáutica, debido a las posibilidades y facilidades que brindan. Se incluyen resultados prácticos de construcción de una etapa de potencia de 5W con transistor de GaN.

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Published

2019-01-25

How to Cite

Hernández Portilla, P. L., & Romero Mustelier, E. (2019). Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio. Telemática, 17(3), 1–10. Retrieved from https://revistatelematica.cujae.edu.cu/index.php/tele/article/view/309

Issue

Vol. 17 No. 3 (2018): Septiembre-Diciembre

Section

Papers

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