Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio.

Pedro Luis Hernández Portilla, Enrique Romero Mustelier

Resumen


El trabajo refleja procedimientos asociados al diseño, modelación computacional y construcción de etapas de potencia en banda L empleando transistores de nitrito de Galio (HEMT GaN). En la ponencia se exponen, además, aspectos relacionados con simulación de procesos estáticos y dinámicos, acoplamientos de impedancias y polarización secuencial para los amplificadores de potencia basados en transistores de GaN dado al gran empleo que tiene en la actualidad para el desarrollo de las industrias como la automovilística y la aeronáutica, debido a las posibilidades y facilidades que brindan. Se incluyen resultados prácticos de construcción de una etapa de potencia de 5W con transistor de GaN.

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Revista Telemática. ISSN 1729-3804

Departamento de Telemática. Facultad de Telecomunicaciones y Electrónica.
Universidad Tecnológica de La Habana "José Antonio Echeverría", CUJAE.